| | Механика твердого тела Известия Российской академии наук | | Журнал основан
в январе 1966 года
Выходит 6 раз в год
ISSN 1026-3519 |
Архив номеров
Для архивных номеров (2007 г. и ранее)
полные тексты статей
доступны для свободного просмотра и скачивания.
Статей в базе данных сайта: | | 12804 |
На русском (Изв. РАН. МТТ): | | 8044 |
На английском (Mech. Solids): | | 4760 |
|
|
| Содержание номера | |
| Материалы международной конференции "Механизмы и нелинейные проблемы нуклеации, роста кристаллов и тонких пленок", посвященной памяти выдающегося физика-теоретика профессора В.В. Слезова Кукушкин С.А. | 3-8 |
| Вырожденная структура двойников превращения и монокристалличность части тонкопластинчатого мартенсита, инициированного сильным магнитным полем Кащенко М.П., Кащенко Н.М., Чащина В.Г. | 9-20 |
| Закономерности поведения металлических стекол в условиях локального нагружения и после внешних воздействий Березнер А.Д., Плужникова Т.Н., Федоров В.А., Федотов Д.Ю., Яковлев А.В. | 21-27 |
| Предел текучести композитов "металл-графен" с однородной и бимодальной зеренной структурой Бобылев С.В., Гуткин М.Ю., Шейнерман А.Г. | 28-40 |
| О нуклеации на линии трехфазного контакта пар-жидкость-кристалл в процессе роста нитевидных нанокристаллов Воробьев А.Ю., Небольсин В.А., Свайкат Н., Юрьев В.А. | 41-47 |
| Структурные превращения в материалах при динамическом нагружении Индейцев Д.А., Мочалова Ю.А. | 48-55 |
| Нитевидные поликристаллы Na2SO4/Cd0.1Zn0.9S: Cu, Аg на поверхности нового материала Si/(нано SiС) Богданов С.П., Сергеева Н.М. | 56-67 |
| Зависимость поверхностного натяжения капли, образованной на молекулярном ядре конденсации или ионе, от радиуса капли Лебедева Т.С., Су Д., Щёкин А.К. | 68-76 |
| Смена механизма пластической деформации в бимодальных материалах с графеновыми включениями Скиба Н.В. | 77-84 |
| О разрушении псевдографенов Колесникова А.Л., Рожков М.А., Романов А.Е. | 85-93 |
| Вакансионный рост ограненных пор в кристалле по механизму Чернова Кукушкин С.А., Осипов А.В., Редьков А.В. | 94-101 |
| Особенности формирования тонких слоев AlN молекулярно-лучевой эпитаксией на темплейтах 3С−SiC/Si(111) с on-axis и 4° off-axis разориентацией Бабаев А.В., Неволин В.К., Стаценко В.Н., Федотов С.Д., Царик К.А. | 102-108 |
| Об адсорбции полярных молекул на твердотельной подложке Давыдов С.Ю., Посредник О.В. | 109-113 |
| Теоретические соображения об осаждении сульфидов переходных металлов в легированных сталях Асадов М.М., Будегдег К., Муссауи И., Рула А. | 114-123 |
| Формирование градиентно-пористых структур кремния с вариативной морфологией пор Гостева Е.А., Рубцова К.И., Силина М.Д., Старков В.В. | 124-129 |
| Ab initio расчеты дефектов в полумагнитных полупроводниках CdMnSe Абдуллаева А.А., Гасанов Н.Г., Кязимова А.И., Мехрабова М.А., Оруджев Г.С. | 130-136 |
| Стохастическая модель зарождения пор при облучении образца ионами инертного газа Змиевская Г.И. | 137-148 |
| Приближенные методы построения решения уравнения баланса при известном числе образований новой фазы в кинетике фазовых переходов первого рода Курасов В.Б. | 149-157 |
| Пространственный осциллятор Ван-дер-Поля. Технические приложения Журавлёв В.Ф. | 158-164 |
|
|
Если Вы обнаружили опечатку или неточность на странице сайта, выделите её и нажмите Ctrl+Enter
|
|