 | | Механика твердого тела
Известия Российской академии наук | | Журнал основан
в январе 1966 года
Выходит 6 раз в год
ISSN 1026-3519 |
Архив номеров
Для архивных номеров (2007 г. и ранее)
полные тексты статей 
доступны для свободного просмотра и скачивания.
| Статей в базе данных сайта: | | 12804 |
| На русском (Изв. РАН. МТТ): | | 8044 |
| На английском (Mech. Solids): | | 4760 |
|
| << Предыдущая статья | Год 2020. Номер 1 | Следующая статья >> |
| Абдуллаева А.А., Гасанов Н.Г., Кязимова А.И., Мехрабова М.А., Оруджев Г.С. Ab initio расчеты дефектов в полумагнитных полупроводниках CdMnSe // Изв. РАН. МТТ. 2020. № 1. С. 130-136. |
| Год |
2020 |
Том |
|
Номер |
1 |
Страницы |
130-136 |
| DOI |
10.31857/S057232992001002X |
Название
статьи |
Ab initio расчеты дефектов в полумагнитных полупроводниках CdMnSe |
| Автор(ы) |
Абдуллаева А.А. (Азербайджанский технический университет, Баку, Азербайджан)
Гасанов Н.Г. (Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан)
Кязимова А.И. (Гянджинский государственный университет, Гянджа, Азербайджан)
Мехрабова М.А. (Институт радиационных проблем национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан, m.mehrabova@science.az)
Оруджев Г.С. (Азербайджанский технический университет, Баку, Азербайджан; Институт физики им. академика Г.М. Абдуллаева национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан) |
| Коды статьи |
УДК 621.315.592 |
| Аннотация |
В статье приводятся первопринципные расчеты электронной зонной структуры ≤ идеальных и дефектных полумагнитных полупроводников Cd1−xMnxSe (0.01≤x≤0.07). Было определено, что с увеличением концентрации Мn в составе Cd1−xMnxSe происходит уменьшение ширины запрещенной зоны. Результаты расчетов показали, что ферромагнитная фаза считается более стабильной, чем антиферромагнитная. Было установлено, что такие дефекты как вакансия, междоузельный атом и Френкелевская пара приводят к увеличению ширины запрещенной зоны, изменению полной энергии и образованию локальных уровней в запрещенной зоне. |
| Ключевые слова |
Ab initio расчеты, DFT, полумагнитные полупроводники, электронная зонная структура, плотность состояний, запрещенная зона, дефекты |
Поступила
в редакцию |
22 июля 2019 | После
доработки |
22 августа 2019 | Принята
к публикации |
18 сентября 2019 |
Получить
полный текст |
|
| << Предыдущая статья | Год 2020. Номер 1 | Следующая статья >> |
|
 Если Вы обнаружили опечатку или неточность на странице сайта, выделите её и нажмите Ctrl+Enter
|
|
Русский
English 