 | | Механика твердого тела
Известия Российской академии наук | | Журнал основан
в январе 1966 года
Выходит 6 раз в год
ISSN 1026-3519 |
Архив номеров
Для архивных номеров (2007 г. и ранее)
полные тексты статей 
доступны для свободного просмотра и скачивания.
| Статей в базе данных сайта: | | 12804 |
| На русском (Изв. РАН. МТТ): | | 8044 |
| На английском (Mech. Solids): | | 4760 |
|
| << Предыдущая статья | Год 2020. Номер 1 | Следующая статья >> |
| Бабаев А.В., Неволин В.К., Стаценко В.Н., Федотов С.Д., Царик К.А. Особенности формирования тонких слоев AlN молекулярно-лучевой эпитаксией на темплейтах 3С−SiC/Si(111) с on-axis и 4° off-axis разориентацией // Изв. РАН. МТТ. 2020. № 1. С. 102-108. |
| Год |
2020 |
Том |
|
Номер |
1 |
Страницы |
102-108 |
| DOI |
10.31857/S0572329920010043 |
Название
статьи |
Особенности формирования тонких слоев AlN молекулярно-лучевой эпитаксией на темплейтах 3С−SiC/Si(111) с on-axis и 4° off-axis разориентацией |
| Автор(ы) |
Бабаев А.В. (ООО "ОНСИ", Москва, Россия; АО "Эпиэл", Москва, Россия)
Неволин В.К. (Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Москва, Россия)
Стаценко В.Н. (АО "Эпиэл", Москва, Россия)
Федотов С.Д. (ООО "ОНСИ", Москва, Россия; АО "Эпиэл", Москва, Россия, fedotov.s.d@yandex.ru)
Царик К.А. (Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Москва, Россия) |
| Коды статьи |
УДК 53.087.04: 621.793.1: 546.1/681 |
| Аннотация |
В данной работе исследованы особенности роста эпитаксиальных слоев AlN на темплейтах 3С−SiC/Si(111) при различных значениях атомарного потока алюминия при постоянной температуре роста и постоянном потоке атомарного азота. Методом АСМ исследована морфология получаемых структур. Минимальная шероховатость достигнута при скорости роста 150 нм/ч на темплейтах on-axis, и при скорости 90 нм/ч на темплейтах off-axis. Получены эпитаксиальные слои гексагонального AlN со среднеквадратичной шероховатостью менее 3 нм на темплейтах 3С−SiC/Si(111) диаметром 100 мм, в которых отсутствует зернистость структуры. Получены монокристаллические слои AlN(0002) со значениями FWHM (ω-геометрия) около 1.4°. |
| Ключевые слова |
молекулярно-лучевая эпитаксия, МЛЭ, нитрид галлия, GaN, нитрид алюминия, AlN, карбид кремния, 3C-SiC |
Поступила
в редакцию |
10 марта 2018 | После
доработки |
04 апреля 2019 | Принята
к публикации |
24 апреля 2019 |
Получить
полный текст |
|
| << Предыдущая статья | Год 2020. Номер 1 | Следующая статья >> |
|
 Если Вы обнаружили опечатку или неточность на странице сайта, выделите её и нажмите Ctrl+Enter
|
|
Русский
English 