Механика твердого тела (о журнале) Механика твердого тела
Известия Российской академии наук
 Журнал основан
в январе 1966 года
Выходит 6 раз в год
ISSN 0572-3299

Русский Русский  English English  О журнале | Номера | Для авторов | Редколлегия | Подписка | Контакты
 


ИПМех РАНХостинг предоставлен
Институтом проблем
механики 
им. А.Ю. Ишлинского РАН

Архив номеров

Для архивных номеров (2007 г. и ранее) полные тексты статей pdf доступны для свободного просмотра и скачивания.

Статей в базе данных сайта: 9198
На русском (Изв. РАН. МТТ): 6504
На английском (Mech. Solids): 2694

<< Предыдущая статья | Год 2020. Номер 1 | Следующая статья >>
Бабаев А.В., Неволин В.К., Стаценко В.Н., Федотов С.Д., Царик К.А. Особенности формирования тонких слоев AlN молекулярно-лучевой эпитаксией на темплейтах 3С−SiC/Si(111) с on-axis и 4° off-axis разориентацией // Изв. РАН. МТТ. 2020. № 1. С. 102-108.
Год 2020 Том   Номер 1 Страницы 102-108
DOI 10.31857/S0572329920010043
Название
статьи
Особенности формирования тонких слоев AlN молекулярно-лучевой эпитаксией на темплейтах 3С−SiC/Si(111) с on-axis и 4° off-axis разориентацией
Автор(ы) Бабаев А.В. (ООО "ОНСИ", Москва, Россия; АО "Эпиэл", Москва, Россия)
Неволин В.К. (Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Москва, Россия)
Стаценко В.Н. (АО "Эпиэл", Москва, Россия)
Федотов С.Д. (ООО "ОНСИ", Москва, Россия; АО "Эпиэл", Москва, Россия, fedotov.s.d@yandex.ru)
Царик К.А. (Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Москва, Россия)
Коды статьи УДК 53.087.04: 621.793.1: 546.1/681
Аннотация

В данной работе исследованы особенности роста эпитаксиальных слоев AlN на темплейтах 3С−SiC/Si(111) при различных значениях атомарного потока алюминия при постоянной температуре роста и постоянном потоке атомарного азота. Методом АСМ исследована морфология получаемых структур. Минимальная шероховатость достигнута при скорости роста 150 нм/ч на темплейтах on-axis, и при скорости 90 нм/ч на темплейтах off-axis. Получены эпитаксиальные слои гексагонального AlN со среднеквадратичной шероховатостью менее 3 нм на темплейтах 3С−SiC/Si(111) диаметром 100 мм, в которых отсутствует зернистость структуры. Получены монокристаллические слои AlN(0002) со значениями FWHM (ω-геометрия) около 1.4°.

Ключевые слова молекулярно-лучевая эпитаксия, МЛЭ, нитрид галлия, GaN, нитрид алюминия, AlN, карбид кремния, 3C-SiC
Поступила
в редакцию
10 марта 2018После
доработки
04 апреля 2019Принята
к публикации
24 апреля 2019
Получить
полный текст
https://www.elibrary.ru/item.asp?id=42340107
<< Предыдущая статья | Год 2020. Номер 1 | Следующая статья >>
Система OrphusЕсли Вы обнаружили опечатку или неточность на странице сайта, выделите её и нажмите Ctrl+Enter

119526 Москва, пр-т Вернадского, д. 101, корп. 1, комн. 246 (495) 434-35-38 mtt@ipmnet.ru https://mtt.ipmnet.ru
Учредители: Российская академия наук, Отделение энергетики, машиностроения, механики и процессов управления РАН, Институт проблем механики им. А.Ю. Ишлинского РАН
Свидетельство о регистрации СМИ ПИ № ФС77-82148 от 02 ноября 2021 г., выдано Федеральной службой по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций
© Изв. РАН. МТТ
webmaster
Rambler's Top100