Механика твердого тела (о журнале) Механика твердого тела
Известия Российской академии наук
 Журнал основан
в январе 1966 года
Выходит 6 раз в год
ISSN 1026-3519

Русский Русский  English English  О журнале | Номера | Для авторов | Редколлегия | Подписка | Контакты
 


Архив номеров

Для архивных номеров (2007 г. и ранее) полные тексты статей pdf доступны для свободного просмотра и скачивания.

Статей в базе данных сайта: 13362
На русском (Изв. РАН. МТТ): 8178
На английском (Mech. Solids): 5184

<< Предыдущая статья | Год 2025. Номер 6 | Следующая статья >>
Верезуб Н.А., Простомолотов А.И. Роль околокристального экрана в процессе Чохральского // Изв. РАН. МТТ. 2025. № 6. С. 99-113.
Год 2025 Том   Номер 6 Страницы 99-113
DOI 10.7868/S3034543X25060065
Название
статьи
Роль околокристального экрана в процессе Чохральского
Автор(ы) Верезуб Н.А. (Институт проблем механики им. А.Ю. Ишлинского РАН, Москва, Россия, verezub@ipmnet.ru)
Простомолотов А.И. (Институт проблем механики им. А.Ю. Ишлинского РАН, Москва, Россия, aprosto@inbox.ru)
Коды статьи УДК 621.315.592:548.4
Аннотация

Методом математического моделирования исследуется влияние околокристального экрана на процессы гидрогазодинамики, переноса тепла и примесей при выращивании монокристаллов методом Чохральского. Для этого исследования выбрана компоновка теплового узла отечественной большегрузной установки Редмет-90М, позволяющей выращивать монокристаллы диаметром 200 мм и длиной до 1.5 м. Ростовой процесс происходит в условиях прокачки аргона в разреженной атмосфере теплового узла. Высокотемпературный нагрев обеспечивает плавление расплава кремния в тигле и его кристаллизацию путем вытягивания монокристалла по Чохральскому. Математическая модель учитывает в сопряжении процессы теплообмена и переноса моноокиси кремния. Рассматривается воздействие околокристального экрана на осевое распределение температуры в выращиваемом монокристалле, которое при условии его бездислокационности характеризует тип образующихся собственных точечных дефектов. Обсуждаются результаты международного теста по влиянию околокристального экрана на осевое распределение температуры в тепловом узле установки EKZ-1300. Приводятся данные технологического теста в тепловом узле установки EKZ-1600ЭЛМА, которые иллюстрируют применение теории дефектообразования Воронкова В.В.

Ключевые слова рост кристалла, кремний, дефекты, экран, моделирование, гидро- и газодинамика, теплоперенос, примесь
Поступила
в редакцию
28 мая 2025После
доработки
22 июня 2025Принята
к публикации
23 июня 2025
Получить
полный текст
<< Предыдущая статья | Год 2025. Номер 6 | Следующая статья >>
Система OrphusЕсли Вы обнаружили опечатку или неточность на странице сайта, выделите её и нажмите Ctrl+Enter

119526 Москва, пр-т Вернадского, д. 101, корп. 1, комн. 246 (495) 434-35-38 mtt@ipmnet.ru https://mtt.ipmnet.ru
Учредители: Российская академия наук, Институт проблем механики им. А.Ю. Ишлинского РАН
Свидетельство о регистрации СМИ ПИ № ФС77-82148 от 02 ноября 2021 г., выдано Федеральной службой по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций
© Изв. РАН. МТТ
webmaster