| 1. | III-V Compound Semicionductors: Integration with Silicon-Based Microelectronics / Edited by Li Т., et al. Boca Raton: CRC Press, 2011. 594 p. |
| 2. | Кукушкин С.А., Осипов A.B. Новый метод твердофазной эпитаксии карбида кремния на кремнии: модель и эксперимент // Физика твердого тела. 2008. Т. 50. Вып. 7. С. 1188-1195. |
| 3. | Кукушкин С.А., Осипов А.В., Феоктистов Н.А. Способ изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности // Патент на изобретение № 2363067. приоритет от 22.01.2008. |
| 4. | Сорокин Л.М., Калмыков А.Е., Бессолов В.Н., Феоктистов Н.А., Осипов А.В., Кукушкин С.А., Веселов Н.В. Структурная характеризация эпитаксиальных слоев GaN на кремнии: влияние буферных слоев // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. № 7. С. 72-79. |
| 5. | Ешелби Дж. Континуальная теория дефектов // Континуальная теория дислокаций / Под ред. Б.Я. Любова. М: Изд-во иностр. лит., 1963. С. 11-102. |
| 6. | Теодосиу К. Упругие модели дефектов в кристаллах. М.: Мир. 1985. 352 с. |
| 7. | Mura T. Micromechanics of Defects in Solids. Dordrecht: Kluwer, 1987. 587 p. |
| 8. | Mindlin R.D. Force at a poin in the interior of sime-infinite solid // Midwestern Conf. Solid Mech. 1953. P. 56-59. |
| 9. | Лифшиц И.M., Розенцвейг Л.Н. О построении тензора Грина для основного уравнения теории упругости в случае неограниченной упруго-анизотропной среды // ЖЭТФ. 1947. Т. 17. В. 9. С. 783-791. |
| 10. | Leibfried G. Über den einfluss thermisch angeregter schallwellen auf die plastische deformation // Z. Phys. 1950. V. 127. P. 334-356. |
| 11. | Кривоглаз М.А. Теория рассеяния рентгеновских лучей и тепловых нейтронов реальными кристаллами. М.: Наука. 1967. 336 с. |
| 12. | Кокорин В.В. Упругое взаимодействие дилатирующих когерентных частиц в упруго анизотропной среде // Физика металлов и металловедение. 1979. Т. 47. В. 2. С. 438-440. |
| 13. | Siems R. Mechanical Interaction of Point Defects // Phys. Stat. Sol. 1968. V. 30. № 2. P. 645-658. |
| 14. | Кацнельсон А.А., Олемской A.И. Микроскопическая теория неоднородных структур. М.: Изд-во МГУ. 1987. 333 с. |
| 15. | Лифшиц И.М., Танашаров Л.В. Об упругом взаимодействии атомов примеси в кристалле // Физика металлов и металловедение. 1961. Т. 12. В. 3. С. 331-337. |
| 16. | Flinn P.A., Maradudin A.A. Distortion of Crystals by Point Defects // Ann. Phys., 1962. V. 18. Вып. 3. P. 81-109. |
| 17. | Вайнштейн В.К., Фридкин В.М., Инденбом В.Л. Структура кристаллов // Современная кристаллография. Т. 2. / Под. ред. В.К. Вайнштейна и др. М.: Наука. 1979. 360 с. |
| 18. | Meijie Tang, Colombo L., Jing Zhu and Diaz de la Rubia T. Intrinsic point defects in crystalline silicon: Tight-binding molecular dynamics studies of self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and formation volumes // Phys. Rev. B. 1997. V. 55. № 21. P. 14279-14289. |
| 19. | Федина Л.И. О рекомбинации и взаимодействии точечных дефектов с поверхностью при кристаллизации точечных дефектов в Si // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35. Вып. 9. С. 1120-1127. |
| 20. | Кристиан Дж. Теория превращений в металлах и сплавах. Ч. 1. М.: Мир, 1978. 806 с. |
| 21. | Scotten W. Jones. Diffusion in Silicon. IС Knoweldge LLC, 2008. 68 p. |
| 22. | Палатник Л.С., Кошкин В.М., Белова Е.К., Рогачева Е.И. О полупроводниковых фазах переменного состава // Соединения переменного состава / Под ред. Б.Ф. Ормонта. Л.: Химия, 1969. С. 412-455. |
| 23. | Кукушкин С.А., Осипов А.В. Процессы конденсации тонких пленок // Успехи физ. наук. 1998. Т. 168. № 10. С. 1083-1116. |
| 24. | Кукушкин С.А., Осипов А.В., Жуков С.Г. и др. Светодиод на основе III-нитридов на кремниевой подложке с эпитаксиальным нанослоем карбида кремния // Письма в ЖТФ. 2012 (в печати). |
Русский
English 
доступны для свободного просмотра и скачивания.
