| 1. | Валиев К.А., Гольдштейн Р.В., Махвиладзе Т.М. Некоторые вопросы прочности и разрушения компонент микро- и субмикроэлектроники // Тр. ФТИАН. 2005. Т. 18. С. 379-397. |
| 2. | Abstreiter G., Brugger H., Wolf Т., Jorke H., Herzog H.-J. Strain-induced two dimensional electron gas in selectively doped Si/SixSi1−x superlattices // Phys.Rev.Lett. 1985. V. 54. № 22. P. 2441-2444. |
| 3. | Schaffler F. High-mobility Si and Ge structures // Semicond. Sci. Technol. 1997. V. 12. № 12. P. 1515-1549. |
| 4. | Yang Y.-J., Ho W.S., Huang C.-F., Chang S.T., Liu C.W. Electron mobility enhancement in strained - germanium n-channel metal-oxide semiconductor field-effect transistors // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91. № 10. P. 102103. |
| 5. | Orein S., Fiori V., Villanueva D., Dray A., Ortolland C. Method for managing the stress due to the strained nitride capping layer in MOS transistors // IEEE Trans. Elect. Devices. 2007. V. 54. № 4. P. 814-821. |
| 6. | Bruner K. Si/Ge nanostructures // Rep. Prog. Phys. 2002. V. 65. № 1. P. 27-72. |
| 7. | Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Бимберг Д. Гетеро-структуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры. Обзор // ФТП. 1997. Т. 32. № 4. С. 385-410. |
| 8. | Stiff-Roberts A.D. Quantum-dot infrared photodetectors: a review // J. Nanophoton. 2009. V. 3. P. 031607. |
| 9. | Laghumavarapu R.B., El-Emawy M., Nuntawong N., Moscho A., Lester L.F., Huffaker D.L. Improved device performance of InAs/GaAs quantum dot solar cells with GaP strain compensation layer // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91. № 24. P. 243115. |
| 10. | Sabarinathan J., Bhattacharya P., Yu P.-C., Krishna S., Cheng J., Steel D.J. An electrically injected InAs/GaAs quantum-dot photonic crystal microcavity light-emitting diode // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. № 20. P. 3876-3878. |
| 11. | Drexler H., Leonard D., Hansen W., Kotthaus J.P., Pelroff P.M. Spectroscopy of quantum levels in charge-tunable InGaAs quantum dots // Phys. Rev. Lett. 1994. V. 73. № 16. P. 2252-2255. |
| 12. | Дубровский B.Г. Теория формирования эпитаксиальных наноструктур. М.: Физматлит, 2009. 352 с. |
| 13. | LiX.L., YangG. W. Thermodynamic theory of shape evolution induced by Si capping in Ge quantum dot self-assembly // J. Appl. Phys. 2009. V. 105. № 1. P. 013510. |
| 14. | Kiravittaya S., Rastelli A., Schmidt O.G. Advanced quantum dot configurations // Rep. Prog. Phys. 2009. V. 72. P. 046502. |
| 15. | Doerner M.F., Nix W.D. Stresses and deformation processes in thin films on substrates // Critical Reviews in Solid State and Material Science. 1988. V. 14. № 3. P. 225-268. |
| 16. | Lee M.L., Fitzgerald E.A., Bulsara M.Т., Currie M.Т., Lochtefeid A. Strained Si, SiGe, and Ge channels for high-mobility metal-oxide-semiconductor field-effect transistors // J. Appl. Phys. 2005. V. 97. № 1. P. 011101. |
| 17. | Liao M.H., Chang S.Т., Lee M.H., Maikap S., Liu C.W. Abnormal hole mobility of biaxial strained Si // J. Appl. Phys. 2005. V. 98. № 6. P. 066104. |
| 18. | Stangl J., Holy V., Bauer G. Structural properties of self-organized semiconductor nanostructures // Rev. Mod. Phys. 2004. V. 76. № 3. P. 725-783. |
| 19. | Goldstein R.V., Gorodtsov V.A., Chentsov A.V., Shushpannikov P.S., Liu C.W., Lee C.-H. Surface and strain effects on nanoscale layered solids. Part I. Three-layered heterostructures. Quantum dots under capping layer. Preprint № 846. Moscow; Taipei: IPMech RAS, 2007. 28 p. |
| 20. | Гольдштейн Р.В., Городцов В.А., Ченцов А.В., Шушпанников П.С., Лиу Ч.В., Ли Ч.-Х. Напряженно-деформированное состояние в псевдоморфных и релаксированных гетероструктурах // Инж. физика. 2009. № 5. С. 44-46. |
| 21. | Гольдштейн Р.В., Городцов В.А., Шушпанников П.С. О моделировании механического поведения гетероструктур с "квантовыми точками" // Изв. вузов. Физика. 2009. № 11. С. 58-66. |
| 22. | Rastelli A., Kummer М., von Kanel H. Reversible shape evolution of Ge islands on Si(001) // Phys. Rev. Lett. 2001. V. 87. P. 256101. |
| 23. | Katsaros G., Stoffel M., Rastelli A., Schmidt O.G, Kern K, Tersoff J. Three-dimensional isocomposi-tional profiles of buried SiGe/Si(001) islands//Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91. № 1. P. 013112. |
| 24. | Garcia J.M., Medeiros-Ribeiro G., Schmidt K, Ngo Т., Feng J.L., Lorke A., Kotthaus J., Petroff P.M. Intermixing and shape changes during the formation of InAs self-assembled quantum dots // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. № 14. P. 2014-2016. |
| 25. | Cui J., He Q., Jiang X.M., Fan Y.L. Self-assembled SiGe quantum rings grown on Si(001) by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. № 14. P. 2907-2909. |
| 26. | Lee S.W., Chen L.J., Chen PS., Tsai M.-J., Liu C.W., Chien T.Y., Chia С.Т. Self assembled nanorings in Si-capped Ge quantum dots on (001)Si // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. № 25. P. 5283-5285. |
| 27. | Lee C.-H., Lin C.M., Liu C.W., Chang H.-T., Lee S.W., Shushpannikov P.S., Gorodtsov V.A., Goldstein R.V. SiGe quantum rings by ultra-high vacuum chemical vapor deposition // ECS Transactions. 2008. V. 16. P. 647-657. |
| 28. | Lee C.-H., Shen Y.-Y., Liu С W., Lee S. W., Lin B.-H., Hsu C.-H. SiGe nanorings by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 94. № 14. P. 141909. |
| 29. | Lorke A., Luyken R.J., Govorov A.O., Kotthaus J.P. Spectroscopy of nanoscopic semiconductor rings// Phys. Rev. Lett. 2000. V. 84. P. 2223-2226. |
| 30. | Warburton R.J., Schulhauser C, Haft D., Schaflein C, Karrai K, Garcia J.M., Schoenfeld W., Petroff P.M. Giant permanent dipole moments of excitonts in semiconductor nanostructures // Phys. Rev. B. 2009. V. 65. P. 113303. |
| 31. | Lorke A., Luyken R.J., Garcia J.M., Petroff P.M. Growth and electronic properties of self-organized quantum rings // Japan J. Appl. Phys. 2001. V. 40. P. 1857-1859. |
| 32. | Granados D., Garcia J. M. In(Ga)As self-assembled quantum ring formation by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82. № 15. P. 2401-2403. |
| 33. | Huang L., Liu F., Lu G.-H., Gong X.G. Surface mobility difference between Si and Ge and its effect on growth of SiGe alloy films and islands // Phys. Rev. Lett. 2006. V. 96. № 1. P. 016103. |
| 34. | Goldstein R. V., Gorodtsov V.A., Shushpannikov P.S., Liu С W., Lee C.-H. Surface and strain effects on nanoscale layered solid. Part III. The nanosize SiGe islands on Si(001) and Si(110) substrates. The mechanical behavior of the modern MOSFETs. Preprint № 913. Moscow; Taipei: IPMech RAS, 2009. 58 p. |
| 35. | Jonsdottir F., Halldorsson D., Bellz G.E., Romanov A. E. Elastic fields and energies of coherent surface islands // Modelling Simul. Mater. Sci. Eng. 2006. V. 14. № 7. P. 1167-1180. |
| 36. | Lee C.-H., Shen Y.- Y., Chen Y. Y., Chang H.-T., Lee S. W., Liu C. W. SiGe quantum dots and quantum rings on Si(l10) by ultra-high vacuum chemical vapor deposition // Extended abstracts of ICSI-6: 6th Int. Confer, on Silicon Epitaxy and Heterostructures. 2009. P. 43. |
| 37. | Freund L.B., Suresh S. Thin Film Materials. Stress, Defect Formation and Evolution. Cambridge: Cambridge Univ. Press, 2003. 820 p. |
| 38. | Johnson E.R., Christian S.M. Some properties of germanium-silicon alloys // Phys. Rev. 1954. V. 95. № 2. P. 560-561. |
| 39. | Stoney G.G. The tension of metallic films deposited by electrolysis // Proc. Roy. Soc. London, Ser. A. 1909. V. 82. № 553. P. 172-175. |
| 40. | Timoshenko S.P. Analysis of bi-metal thermostats // J. Opt. Soc. Am. 1925. V. 11. № 9. P. 233-255. |
| 41. | Колесникова А.Л., Романов А.Е. Зарождение дислокационных петель в напряженных квантовых точках, внедренных в гетерослой // Физика твердого тела. 2004. Т. 46. Вып. 9. С. 1593-1596. |
| 42. | Гольдштейн Р.В., Шифрин Е.И. Плоская задача о напряженном состоянии, определяемом фазовыми превращениями в эллиптической области. Препринт № 714. М.: ИПМех РАН, 2003. 50 с. |
| 43. | Mura T. Micromechanics of defects in solids. Dordrecht: Nijhoff Publ., 1987. 588 p. |
| 44. | Pearson G.S., Faux D.A. Analytical solution for strain in pyramidal quantum dots // J. Appl. Phys. 2000. V. 88. № 2. P. 730-736. |
| 45. | Glas F. Elastic relaxation of truncated pyramidal quantum dots and quantum wires in a half space: An analytical calculation // J. Appl. Phys. 2001. V. 90. № 7. P. 3232-3241. |
| 46. | Goldstein R. V., Shushpannikov P.S. Application of the method of multipole expansions in 3D-elasticity problem for a medium with ordered system of spherical pores // ZAMM. 2009. V. 89. № 6. P. 504-510. |
| 47. | Джонсон К. Механика контактного взаимодействия. М.: Мир, 1989. 509 с. |
| 48. | Хан X. Теория упругости. М.: Мир, 1988. 344 с. |
| 49. | Goldstein R. V., Gorodtsov V.A., Shushpannikov P.S., Liu С. W., Lee C.-H. Surface and strain effects on nanoscale layered solid. Part II. Mechanical modeling of quantum dots. Analytical and numerical approaches. Preprint № 871. Moscow; Taipei: IPMech RAS, 2008. 28 p. |
| 50. | Андерсон О. Определение и некоторые применения изотропных упругих постоянных поликристаллических систем, полученных из данных для монокристаллов // Физическая акустика. Т. 3. Ч. Б. Динамика решетки / под ред. У. Мэзона. М.: Мир, 1968. С. 62-121. |
| 51. | Shu D.J., Liu F., Gong X.G. Simple generic method for predicting the effect of strain on surface diffusion // Phys. Rev. B. 2001. V. 64. № 24. P. 245410. |
| 52. | Muller P., Saul A. Elastic effects on surface physics // Surf. Sci. Rep. 2004. V. 54. № 5-8. P. 157-258. |
Русский
English 
доступны для свободного просмотра и скачивания.
