 | | Механика твердого тела
Известия Российской академии наук | | Журнал основан
в январе 1966 года
Выходит 6 раз в год
ISSN 1026-3519 |
Архив номеров
Для архивных номеров (2007 г. и ранее)
полные тексты статей 
доступны для свободного просмотра и скачивания.
| Статей в базе данных сайта: | | 12804 |
| На русском (Изв. РАН. МТТ): | | 8044 |
| На английском (Mech. Solids): | | 4760 |
|
| << Предыдущая статья | Год 2020. Номер 2 | Следующая статья >> |
| Гращенко А.С., Кукушкин С.А., Осипов А.В. Упругие свойства пленок GaN и AlN, сформированных на пористом основании - гибридной подложке SiC/Si // Изв. РАН. МТТ. 2020. № 2. С. 3-9. |
| Год |
2020 |
Том |
|
Номер |
2 |
Страницы |
3-9 |
| DOI |
10.31857/S0572329920010110 |
Название
статьи |
Упругие свойства пленок GaN и AlN, сформированных на пористом основании - гибридной подложке SiC/Si |
| Автор(ы) |
Гращенко А.С. (Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия, asgrashchenko@bk.ru)
Кукушкин С.А. (Институт проблем машиноведения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия; Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия)
Осипов А.В. (Институт проблем машиноведения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия) |
| Коды статьи |
УДК 538.911 |
| Аннотация |
Методом наноиндентирования исследованы упругие свойства пленок нитрида галлия и нитрида алюминия, выращенных на подложках нового типа - наномасштабном карбиде кремния на кремнии (SiC/Si). Впервые определены значения модуля Юнга эпитаксиальных пленок таких широкозонных полупроводников как GaN и AlN, выращенных на подложке SiC/Si. Экспериментально, при помощи метода наноиндентирования установлено, что модуль Юнга эпитаксиального слоя GaN на SiC/Si равен равен 265 GPa, а пленки AlN - 223 GPa. Методами атомно-силовой микроскопии и спектральной эллипсометрии изучены структурные характеристики пленок нитрида галлия и нитрида алюминия. Определены толщины пленок и шероховатость их поверхности. |
| Ключевые слова |
наноиндентирование, пленки, модуль Юнга, полупроводники, нитрид галлия, нитрид алюминия |
Поступила
в редакцию |
03 августа 2019 | После
доработки |
11 августа 2019 | Принята
к публикации |
19 сентября 2019 |
Получить
полный текст |
|
| << Предыдущая статья | Год 2020. Номер 2 | Следующая статья >> |
|
 Если Вы обнаружили опечатку или неточность на странице сайта, выделите её и нажмите Ctrl+Enter
|
|
Русский
English 