Механика твердого тела (о журнале) Механика твердого тела
Известия Российской академии наук
 Журнал основан
в январе 1966 года
Выходит 6 раз в год
ISSN 1026-3519

Русский Русский  English English  О журнале | Номера | Для авторов | Редколлегия | Подписка | Контакты
 


Архив номеров

Для архивных номеров (2007 г. и ранее) полные тексты статей pdf доступны для свободного просмотра и скачивания.

Статей в базе данных сайта: 11223
На русском (Изв. РАН. МТТ): 8011
На английском (Mech. Solids): 3212

<< Предыдущая статья | Год 2020. Номер 1 | Следующая статья >>
Абдуллаева А.А., Гасанов Н.Г., Кязимова А.И., Мехрабова М.А., Оруджев Г.С. Ab initio расчеты дефектов в полумагнитных полупроводниках CdMnSe // Изв. РАН. МТТ. 2020. № 1. С. 130-136.
Год 2020 Том   Номер 1 Страницы 130-136
DOI 10.31857/S057232992001002X
Название
статьи
Ab initio расчеты дефектов в полумагнитных полупроводниках CdMnSe
Автор(ы) Абдуллаева А.А. (Азербайджанский технический университет, Баку, Азербайджан)
Гасанов Н.Г. (Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан)
Кязимова А.И. (Гянджинский государственный университет, Гянджа, Азербайджан)
Мехрабова М.А. (Институт радиационных проблем национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан, m.mehrabova@science.az)
Оруджев Г.С. (Азербайджанский технический университет, Баку, Азербайджан; Институт физики им. академика Г.М. Абдуллаева национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан)
Коды статьи УДК 621.315.592
Аннотация

В статье приводятся первопринципные расчеты электронной зонной структуры идеальных и дефектных полумагнитных полупроводников Cd1−xMnxSe (0.01≤x≤0.07). Было определено, что с увеличением концентрации Мn в составе Cd1−xMnxSe происходит уменьшение ширины запрещенной зоны. Результаты расчетов показали, что ферромагнитная фаза считается более стабильной, чем антиферромагнитная. Было установлено, что такие дефекты как вакансия, междоузельный атом и Френкелевская пара приводят к увеличению ширины запрещенной зоны, изменению полной энергии и образованию локальных уровней в запрещенной зоне.

Ключевые слова Ab initio расчеты, DFT, полумагнитные полупроводники, электронная зонная структура, плотность состояний, запрещенная зона, дефекты
Поступила
в редакцию
22 июля 2019После
доработки
22 августа 2019Принята
к публикации
18 сентября 2019
Получить
полный текст
<< Предыдущая статья | Год 2020. Номер 1 | Следующая статья >>
Система OrphusЕсли Вы обнаружили опечатку или неточность на странице сайта, выделите её и нажмите Ctrl+Enter

119526 Москва, пр-т Вернадского, д. 101, корп. 1, комн. 246 (495) 434-35-38 mtt@ipmnet.ru https://mtt.ipmnet.ru
Учредители: Российская академия наук, Институт проблем механики им. А.Ю. Ишлинского РАН
Свидетельство о регистрации СМИ ПИ № ФС77-82148 от 02 ноября 2021 г., выдано Федеральной службой по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций
© Изв. РАН. МТТ
webmaster
Rambler's Top100