Механика твердого тела (о журнале) Механика твердого тела
Известия Российской академии наук
 Журнал основан
в январе 1966 года
Выходит 6 раз в год
ISSN 0572-3299

Русский Русский  English English  О журнале | Номера | Для авторов | Редколлегия | Подписка | Контакты
 


ИПМех РАНХостинг предоставлен
Институтом проблем
механики 
им. А.Ю. Ишлинского РАН

Архив номеров

Статей в базе данных сайта: 3985
На русском (Изв. РАН. МТТ): 2236
На английском (Mech. Solids): 1749

<< Предыдущая статья | Год 2020. Номер 2 | Следующая статья >>
Гращенко А.С., Кукушкин С.А., Осипов А.В. Упругие свойства пленок GaN и AlN, сформированных на пористом основании - гибридной подложке SiC/Si // Изв. РАН. МТТ. 2020. № 2. С. 3-9.
Год 2020 Том   Номер 2 Страницы 3-9
DOI 10.31857/S0572329920010110
Название
статьи
Упругие свойства пленок GaN и AlN, сформированных на пористом основании - гибридной подложке SiC/Si
Автор(ы) Гращенко А.С. (Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия, asgrashchenko@bk.ru)
Кукушкин С.А. (Институт проблем машиноведения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия; Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия)
Осипов А.В. (Институт проблем машиноведения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия)
Коды статьи УДК 538.911
Аннотация

Методом наноиндентирования исследованы упругие свойства пленок нитрида галлия и нитрида алюминия, выращенных на подложках нового типа - наномасштабном карбиде кремния на кремнии (SiC/Si). Впервые определены значения модуля Юнга эпитаксиальных пленок таких широкозонных полупроводников как GaN и AlN, выращенных на подложке SiC/Si. Экспериментально, при помощи метода наноиндентирования установлено, что модуль Юнга эпитаксиального слоя GaN на SiC/Si равен равен 265 GPa, а пленки AlN - 223 GPa. Методами атомно-силовой микроскопии и спектральной эллипсометрии изучены структурные характеристики пленок нитрида галлия и нитрида алюминия. Определены толщины пленок и шероховатость их поверхности.

Ключевые слова наноиндентирование, пленки, модуль Юнга, полупроводники, нитрид галлия, нитрид алюминия
Поступила
в редакцию
03 августа 2019После
доработки
11 августа 2019Принята
к публикации
19 сентября 2019
Получить
полный текст
https://www.elibrary.ru/item.asp?id=42605227
<< Предыдущая статья | Год 2020. Номер 2 | Следующая статья >>
Система OrphusЕсли Вы обнаружили опечатку или неточность на странице сайта, выделите её и нажмите Ctrl+Enter

119526 Москва, пр-т Вернадского, д. 101, корп. 1, комн. 246 (495) 434-35-38 mtt@ipmnet.ru http://mtt.ipmnet.ru
Учредители: Российская академия наук, Отделение энергетики, машиностроения, механики и процессов управления РАН, ООО "Журналы по механике"
Свидетельство о регистрации СМИ № 0110261 выдано Министерством печати и информации Российской Федерации 08.02.1993 г.
© ООО "Журналы по механике"
webmaster
Rambler's Top100